창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIT3808AI-2-33SH | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SiT3808 Datasheet SIT3808 Part Number Guide | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | SiTIME | |
| 계열 | SiT3808 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS VCXO | |
| 프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
| 가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 80MHz | |
| 기능 | 대기 | |
| 출력 | LVCMOS, LVTTL | |
| 전압 - 공급 | 3.3V | |
| 주파수 안정도 | ±10ppm | |
| 주파수 안정도(총) | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 확산 대역 대역폭 | - | |
| 전류 - 공급(최대) | 33mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
| 높이 | 0.031"(0.80mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 70µA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIT3808AI-2-33SH | |
| 관련 링크 | SIT3808AI, SIT3808AI-2-33SH 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 | |
![]() | 416F250XXAKR | 25MHz ±15ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F250XXAKR.pdf | |
![]() | TD-13.000MDD-T | 13MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V Enable/Disable | TD-13.000MDD-T.pdf | |
![]() | QBLP655R-R | Red 625nm LED Indication - Discrete 2V 2-SMD, No Lead | QBLP655R-R.pdf | |
![]() | GW P9LR33.CM-NSNU-XX58-1 | LED Lighting DURIS® S 8 White, Warm 2700K 24.8V 150mA 120° 2-SMD, No Lead | GW P9LR33.CM-NSNU-XX58-1.pdf | |
![]() | PHP00805E3882BBT1 | RES SMD 38.8K OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E3882BBT1.pdf | |
![]() | CPCF03680R0JE66 | RES 680 OHM 3W 5% RADIAL | CPCF03680R0JE66.pdf | |
![]() | DS110050 | DS110050 DALLAS SMD or Through Hole | DS110050.pdf | |
![]() | D7533C (A) | D7533C (A) NEC DIP | D7533C (A).pdf | |
![]() | 636CY-150M=P3 | 636CY-150M=P3 TOYO SMD | 636CY-150M=P3.pdf | |
![]() | FQP3N60. | FQP3N60. ORIGINAL SMD or Through Hole | FQP3N60..pdf |