창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIT3808AC-C-25NY | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SiT3808 Datasheet SIT3808 Part Number Guide | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | SiTIME | |
| 계열 | SiT3808 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS VCXO | |
| 프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
| 가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 80MHz | |
| 기능 | - | |
| 출력 | LVCMOS, LVTTL | |
| 전압 - 공급 | 2.5V | |
| 주파수 안정도 | ±10ppm | |
| 주파수 안정도(총) | - | |
| 작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
| 확산 대역 대역폭 | - | |
| 전류 - 공급(최대) | 33mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | |
| 높이 | 0.031"(0.80mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | - | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIT3808AC-C-25NY | |
| 관련 링크 | SIT3808AC, SIT3808AC-C-25NY 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 | |
| UCYW6101MHD | 100µF 420V Aluminum Capacitors Radial, Can 12000 Hrs @ 105°C | UCYW6101MHD.pdf | ||
![]() | 10YXJ100M5X11 | 100µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 4000 Hrs @ 105°C | 10YXJ100M5X11.pdf | |
![]() | AP101 2K7 J | RES 2.7K OHM 100W 5% TO-247 | AP101 2K7 J.pdf | |
![]() | SAFC130.4MWC1F0T-T | SAFC130.4MWC1F0T-T MURATA 2989EABRO1R | SAFC130.4MWC1F0T-T.pdf | |
![]() | OP221HZ | OP221HZ AD DIP | OP221HZ.pdf | |
![]() | KMM374S803ATL-GO | KMM374S803ATL-GO Samsung IC DRAM MODULE | KMM374S803ATL-GO.pdf | |
![]() | M5M4V64S30ATP-8 | M5M4V64S30ATP-8 MITSUBISHI NA | M5M4V64S30ATP-8.pdf | |
![]() | TMS28F010A/B-12C4DDE/10C4DDL | TMS28F010A/B-12C4DDE/10C4DDL MEMORY SMD | TMS28F010A/B-12C4DDE/10C4DDL.pdf | |
![]() | KM100M160G125+ | KM100M160G125+ CAPXON SMD or Through Hole | KM100M160G125+.pdf | |
![]() | CW24C64D | CW24C64D ORIGINAL SMD or Through Hole | CW24C64D.pdf | |
![]() | MIW12E31 | MIW12E31 TP DIP24 | MIW12E31.pdf | |
![]() | URAA8-D04A/3572A | URAA8-D04A/3572A ALPS SMD or Through Hole | URAA8-D04A/3572A.pdf |