SiTIME SIT1602BIF23-18E-27.000000G

SIT1602BIF23-18E-27.000000G
제조업체 부품 번호
SIT1602BIF23-18E-27.000000G
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발진기
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27MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V 4.1mA Enable/Disable
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내부 부품 번호EIS-SIT1602BIF23-18E-27.000000G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SiT1602B
PCN 포장TR Pkg Update 27/Jul/2016
종류수정 및 발진기
제품군발진기
제조업체SiTIME
계열SiT1602B
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
유형MEMS(실리콘)
주파수27MHz
기능활성화/비활성화
출력LVCMOS
전압 - 공급1.8V
주파수 안정도±50ppm
작동 온도-40°C ~ 85°C
전류 - 공급(최대)4.1mA
등급-
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
크기/치수0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm)
높이0.031"(0.80mm)
패키지/케이스4-SMD, 무연(DFN, LCC)
전류 - 공급(비활성화)(최대)4mA
표준 포장 250
다른 이름SIT1602BIF-23-18E-27.000000G
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)SIT1602BIF23-18E-27.000000G
관련 링크SIT1602BIF23-18E, SIT1602BIF23-18E-27.000000G 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통
SIT1602BIF23-18E-27.000000G 의 관련 제품
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13.56MHz ±20ppm 수정 8pF 250옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) CX3225GB13560D0HEQCC.pdf
OSC XO 3.3V 1MHZ ST SIT8008AI-21-33S-1.000000D.pdf
TRANS DUAL BIP+MOS EMT6 EMF9T2R.pdf
53nH Unshielded Wirewound Inductor 415mA 696 mOhm Max 0402 (1005 Metric) LQW15AN53NG80D.pdf
27C2000DC-12 MX DIP 27C2000DC-12.pdf
V22BIS V6.0 PHI QFP44 V22BIS V6.0.pdf
HY6220T08081E-DG70C HY SMD HY6220T08081E-DG70C.pdf
BH7513BKV ROHM TQFP BH7513BKV.pdf
DF261 AB/WAFFR XX XX DF261 AB/WAFFR.pdf
2SK3475(TE12LF) TOSHIBA SMD or Through Hole 2SK3475(TE12LF).pdf