창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIT1602AI-22-XXE-24.576000G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SiT1602 Datasheet | |
| PCN 포장 | TR Pkg Update 27/Jul/2016 | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 발진기 | |
| 제조업체 | SiTIME | |
| 계열 | SiT1602 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 주파수 | 24.576MHz | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | HCMOS, LVCMOS | |
| 전압 - 공급 | 2.25 V ~ 3.63 V | |
| 주파수 안정도 | ±25ppm | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 전류 - 공급(최대) | 4.5mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
| 높이 | 0.031"(0.80mm) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 4mA | |
| 표준 포장 | 250 | |
| 다른 이름 | 1473-1076-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIT1602AI-22-XXE-24.576000G | |
| 관련 링크 | SIT1602AI-22-XXE, SIT1602AI-22-XXE-24.576000G 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 | |
![]() | 12061A121GAT9A | 120pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12061A121GAT9A.pdf | |
![]() | MKP383282250JII2B0 | 8200pF Film Capacitor 900V 2500V (2.5kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial | MKP383282250JII2B0.pdf | |
![]() | SIT8008BI-22-33E-65.000000E | OSC XO 3.3V 65MHZ OE | SIT8008BI-22-33E-65.000000E.pdf | |
![]() | MCR10EZHF2053 | RES SMD 205K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10EZHF2053.pdf | |
![]() | NCP502SQ27T1 | NCP502SQ27T1 ONS Call | NCP502SQ27T1.pdf | |
![]() | HD63B03XFB | HD63B03XFB HITACHI QFP | HD63B03XFB.pdf | |
![]() | BL1608-05K3575T | BL1608-05K3575T ACX SMD | BL1608-05K3575T.pdf | |
![]() | A1L3N | A1L3N ORIGINAL TO-92 | A1L3N.pdf | |
![]() | 502S47W222MV3E | 502S47W222MV3E JOH SMD or Through Hole | 502S47W222MV3E.pdf | |
![]() | 1808YA250102JXTSY2 | 1808YA250102JXTSY2 SYFER SMD | 1808YA250102JXTSY2.pdf | |
![]() | DC-600 | DC-600 BIV SMD or Through Hole | DC-600.pdf | |
![]() | LTC6605IDJC-10#PBF/CD | LTC6605IDJC-10#PBF/CD LT QFN | LTC6605IDJC-10#PBF/CD.pdf |