창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIT1602ACT7-33E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SiT1602 Datasheet SIT1602 Part Number Guide | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | SiTIME | |
| 계열 | SiT1602 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
| 가용 주파수 범위 | 3.75MHz ~ 77.76MHz | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | HCMOS, LVCMOS | |
| 전압 - 공급 | 3.3V | |
| 주파수 안정도 | - | |
| 주파수 안정도(총) | ±20ppm, ±25ppm, ±50ppm | |
| 작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
| 확산 대역 대역폭 | - | |
| 전류 - 공급(최대) | 4.5mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.079" L x 0.063" W(2.00mm x 1.60mm) | |
| 높이 | 0.031"(0.80mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 4mA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIT1602ACT7-33E | |
| 관련 링크 | SIT1602AC, SIT1602ACT7-33E 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 | |
![]() | FESB8FTHE3/81 | DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB | FESB8FTHE3/81.pdf | |
![]() | IPP60R950C6 | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220 | IPP60R950C6.pdf | |
![]() | CMF5033R000DHR6 | RES 33 OHM 1/4W 0.5% AXIAL | CMF5033R000DHR6.pdf | |
![]() | RH1021BMH | RH1021BMH LT 8-LeadTO-5 | RH1021BMH.pdf | |
![]() | 500027-4042 | 500027-4042 molex SMD or Through Hole | 500027-4042.pdf | |
![]() | TMC3862NL | TMC3862NL TI DIP | TMC3862NL.pdf | |
![]() | HY62256BLCP-70 | HY62256BLCP-70 ORIGINAL DIP-28 | HY62256BLCP-70.pdf | |
![]() | DTZTT119.1C /L3 | DTZTT119.1C /L3 ROHM SOD-3239.1V | DTZTT119.1C /L3.pdf | |
![]() | AF9478P | AF9478P Anachip SMD or Through Hole | AF9478P.pdf | |
![]() | TCSCE1V475MDAR1000 | TCSCE1V475MDAR1000 SAMSUNG SMD or Through Hole | TCSCE1V475MDAR1000.pdf | |
![]() | 23400361 | 23400361 ORIGINAL BGA | 23400361.pdf | |
![]() | HY5DU121622DLTP-JI-C | HY5DU121622DLTP-JI-C HYNIX TSOP66 | HY5DU121622DLTP-JI-C.pdf |