창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIT1602ACE1-XXS | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SiT1602 Datasheet SIT1602 Part Number Guide | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
제조업체 | SiTIME | |
계열 | SiT1602 | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | MEMS(실리콘) | |
프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
가용 주파수 범위 | 3.75MHz ~ 77.76MHz | |
기능 | 대기 | |
출력 | HCMOS, LVCMOS | |
전압 - 공급 | 2.25 V ~ 3.63 V | |
주파수 안정도 | - | |
주파수 안정도(총) | ±20ppm, ±25ppm, ±50ppm | |
작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
확산 대역 대역폭 | - | |
전류 - 공급(최대) | 4.5mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
크기/치수 | 0.098" L x 0.079" W(2.50mm x 2.00mm) | |
높이 | 0.031"(0.80mm) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 4.3µA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIT1602ACE1-XXS | |
관련 링크 | SIT1602AC, SIT1602ACE1-XXS 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 |
![]() | SIT8008BI-32-18E-14.745600Y | OSC XO 1.8V 14.7456MHZ OE | SIT8008BI-32-18E-14.745600Y.pdf | |
![]() | PS2561AL-1-V-F3-H-A | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-SMD | PS2561AL-1-V-F3-H-A.pdf | |
![]() | 208LFBGABAME CHAR 300UM | 208LFBGABAME CHAR 300UM QUALCOMM BGA | 208LFBGABAME CHAR 300UM.pdf | |
![]() | VSH2012C05NR | VSH2012C05NR SAMWHA SMD | VSH2012C05NR.pdf | |
![]() | 827397-1 | 827397-1 TYCO SMD or Through Hole | 827397-1.pdf | |
![]() | VP05709-1 | VP05709-1 VLSITECHNOLOGYINC SMD or Through Hole | VP05709-1.pdf | |
![]() | L-5K5-S | L-5K5-S MITSUMI SMD or Through Hole | L-5K5-S.pdf | |
![]() | C1431 | C1431 ORIGINAL TO-66 | C1431.pdf | |
![]() | RT4-433 | RT4-433 NULL NULL | RT4-433.pdf | |
![]() | ESMM3B1VSN221MQ25T | ESMM3B1VSN221MQ25T NICHICON DIP | ESMM3B1VSN221MQ25T.pdf | |
![]() | ZWY87C-T1-3D-0-20 0805-W | ZWY87C-T1-3D-0-20 0805-W OSRAMOPTO SMD or Through Hole | ZWY87C-T1-3D-0-20 0805-W.pdf | |
![]() | 3.0SMCJ40A _R1 _10001 | 3.0SMCJ40A _R1 _10001 PANJIT SSOP | 3.0SMCJ40A _R1 _10001.pdf |