창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SISA18DN-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SiSA18DN | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 38.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1000pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 19.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SISA18DN-T1-GE3TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SISA18DN-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SISA18DN-, SISA18DN-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 0PAL260.X | FUSE AUTOMOTIVE 60A AUTO LINK | 0PAL260.X.pdf | |
![]() | VO615A-2 | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-DIP | VO615A-2.pdf | |
![]() | ERJ-P14D1002U | RES SMD 10K OHM 0.5% 1/2W 1210 | ERJ-P14D1002U.pdf | |
![]() | PHP00805E1402BBT1 | RES SMD 14K OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E1402BBT1.pdf | |
![]() | 2SD231M | 2SD231M FUI SMD or Through Hole | 2SD231M.pdf | |
![]() | IT3205CE 16.369 | IT3205CE 16.369 ITTI smd | IT3205CE 16.369.pdf | |
![]() | AN3994 | AN3994 Panasoni ZIP | AN3994.pdf | |
![]() | S18CH2A0 | S18CH2A0 VISHAY SMD or Through Hole | S18CH2A0.pdf | |
![]() | 179021F250MA250V | 179021F250MA250V ELU SMD or Through Hole | 179021F250MA250V.pdf | |
![]() | VG037CHXT 3X3 5K | VG037CHXT 3X3 5K ORIGINAL SMD or Through Hole | VG037CHXT 3X3 5K.pdf | |
![]() | SN65LBC179QD | SN65LBC179QD TI SMD8 | SN65LBC179QD.pdf | |
![]() | RN2405/YE | RN2405/YE TOSHIBA SOT-323 | RN2405/YE.pdf |