창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SISA12ADN-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SISA12ADN-T1-GE3 | |
제품 교육 모듈 | 30 V TrenchFET Gen IV MOSFET and PowerPAIR | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.3m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2070pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 28W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SISA12ADN-T1-GE3-ND SISA12ADN-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SISA12ADN-T1-GE3 | |
관련 링크 | SISA12ADN, SISA12ADN-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
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![]() | BFC233840225 | 2.2µF Film Capacitor 300V 800V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.240" L x 0.709" W (31.50mm x 18.00mm) | BFC233840225.pdf | |
![]() | ASGTX-D-50.000MHZ-2-T | 50MHz LVDS VCTCXO Oscillator Surface Mount 3.135 V ~ 3.465 V 40mA | ASGTX-D-50.000MHZ-2-T.pdf | |
![]() | MLG0603P62NJT000 | 62nH Unshielded Multilayer Inductor 100mA 3.5 Ohm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603P62NJT000.pdf | |
![]() | PLT0603Z2740LBTS | RES SMD 274 OHM 0.01% 0.15W 0603 | PLT0603Z2740LBTS.pdf | |
![]() | RX3400-434MHz | RX3400-434MHz KP SMD or Through Hole | RX3400-434MHz.pdf | |
![]() | 951-2C-48V | 951-2C-48V ORIGINAL SMD or Through Hole | 951-2C-48V.pdf | |
![]() | 2D103 | 2D103 BB DIP | 2D103.pdf |