창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIS776DN-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIS776DN-T1-GE3 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | SkyFET®, TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-channel, 쇼트키, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.2m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1360pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 52W | |
| 작동 온도 | -50°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIS776DN-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SIS776DN-, SIS776DN-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 08055A151GAT4A | 150pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08055A151GAT4A.pdf | |
![]() | RC0603DR-07205KL | RES SMD 205K OHM 0.5% 1/10W 0603 | RC0603DR-07205KL.pdf | |
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![]() | BUK7606-75B | BUK7606-75B PHIL TO-263 | BUK7606-75B.pdf | |
![]() | GP1UD28QK | GP1UD28QK SHARP DIP-5 | GP1UD28QK.pdf | |
![]() | X6429 | X6429 STR SMD or Through Hole | X6429.pdf | |
![]() | INA216A4RSWR | INA216A4RSWR TI 10UQFN | INA216A4RSWR.pdf | |
![]() | EP10K50SFC484 | EP10K50SFC484 XILINX BGA | EP10K50SFC484.pdf | |
![]() | TC7WG125FK(T5L | TC7WG125FK(T5L TOSHIBA US8 | TC7WG125FK(T5L.pdf | |
![]() | 74F02-MOT | 74F02-MOT MOT DIP | 74F02-MOT.pdf | |
![]() | LMU4142TI | LMU4142TI LOGIC BGA | LMU4142TI.pdf | |
![]() | MAX5431AEUB | MAX5431AEUB ORIGINAL SMD or Through Hole | MAX5431AEUB.pdf |