창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIS472DN-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIS472DN-T1-GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.9m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 997pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 28W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIS472DN-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIS472DN-, SIS472DN-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 1782-07F | 300nH Unshielded Molded Inductor 815mA 220 mOhm Max Axial | 1782-07F.pdf | |
![]() | AT0402CRD0759KL | RES SMD 59K OHM 0.25% 1/16W 0402 | AT0402CRD0759KL.pdf | |
![]() | CRGH2512F130K | RES SMD 130K OHM 1% 2W 2512 | CRGH2512F130K.pdf | |
![]() | Y0075681R000T0L | RES 681 OHM 0.3W 0.01% RADIAL | Y0075681R000T0L.pdf | |
![]() | TLE2662IDWR | TLE2662IDWR TIS Call | TLE2662IDWR.pdf | |
![]() | MMBTA56 R2G | MMBTA56 R2G TOSHIBA TO92L | MMBTA56 R2G.pdf | |
![]() | ACT4060SH-T(ACT4060ASH) | ACT4060SH-T(ACT4060ASH) ACTIVE SOP-8 | ACT4060SH-T(ACT4060ASH).pdf | |
![]() | EPF8227S | EPF8227S PCA SMD or Through Hole | EPF8227S.pdf | |
![]() | 962L UA C1 | 962L UA C1 SIS SMD or Through Hole | 962L UA C1.pdf | |
![]() | 18F6722-I/PT | 18F6722-I/PT MICROCHIP SMD or Through Hole | 18F6722-I/PT.pdf | |
![]() | 2220J5000123JCT | 2220J5000123JCT SYFER SMD | 2220J5000123JCT.pdf | |
![]() | 15TP551T/TP551T/1551T | 15TP551T/TP551T/1551T semitec DIP-4 | 15TP551T/TP551T/1551T.pdf |