창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIS456DN-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIS456DN | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.1m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 55nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 52W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIS456DN-T1-GE3TR SIS456DNT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIS456DN-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIS456DN-, SIS456DN-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
MMSZ5254ET1G | DIODE ZENER 27V 500MW SOD123 | MMSZ5254ET1G.pdf | ||
1537R-10F | 820nH Unshielded Molded Inductor 1.02A 220 mOhm Max Axial | 1537R-10F.pdf | ||
CRCW25127K50FKTG | RES SMD 7.5K OHM 1% 1W 2512 | CRCW25127K50FKTG.pdf | ||
MY4N-D2 DC24V | MY4N-D2 DC24V OMRON SMD or Through Hole | MY4N-D2 DC24V.pdf | ||
50V470P | 50V470P WM NPO | 50V470P.pdf | ||
TLV27L1IDBVRG4 | TLV27L1IDBVRG4 TI SOT-23-5 | TLV27L1IDBVRG4.pdf | ||
BAV199T | BAV199T DIODES SOT-523 | BAV199T.pdf | ||
8857015153227040 | 8857015153227040 MILL-MAX SMD or Through Hole | 8857015153227040.pdf | ||
ADM483AN | ADM483AN ADM DIP-8 | ADM483AN.pdf | ||
BT473KPJ35/80 | BT473KPJ35/80 BT DIP | BT473KPJ35/80.pdf | ||
FS1660S | FS1660S FSC/ TO-220F-6 | FS1660S.pdf | ||
DUH36569UAB11AQC | DUH36569UAB11AQC N/A QFP | DUH36569UAB11AQC.pdf |