Vishay BC Components SIS435DNT-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SIS435DNT-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
SIS435DNT-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 296.52480
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 SIS435DNT-T1-GE3 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. SIS435DNT-T1-GE3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SIS435DNT-T1-GE3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- SIS435DNT-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIS435DNT-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIS435DNT-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIS435DNT | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 Multiple Devices 11/Dec/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.4m옴 @ 13A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 900mV @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(8V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5700pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 39W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SIS435DNT-T1-GE3TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIS435DNT-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SIS435DNT, SIS435DNT-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
SIS435DNT-T1-GE3 의 관련 제품
 | VJ1808A820JBFAT4X | 82pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A820JBFAT4X.pdf | |
 | MD015A102KAB | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2-DIP 0.260" L x 0.100" W(6.60mm x 2.54mm) | MD015A102KAB.pdf | |
 | M0820-84K | 330µH Unshielded Inductor 31mA 47 Ohm Max Nonstandard | M0820-84K.pdf | |
| MSM51V18165F-60T3F | MSM51V18165F-60T3F OKI SSOP | MSM51V18165F-60T3F.pdf | |
| 74F257A/WP90300L10-F257 | 74F257A/WP90300L10-F257 MOT DIP-16 | 74F257A/WP90300L10-F257.pdf | |
| G7T-1112S-12VDC | G7T-1112S-12VDC OMRON SMD or Through Hole | G7T-1112S-12VDC.pdf | |
| XTAL48MH8MHZS3225A | XTAL48MH8MHZS3225A ORIGINAL SMD or Through Hole | XTAL48MH8MHZS3225A.pdf | |
| LM114CH | LM114CH ORIGINAL CAN6 | LM114CH.pdf | |
| ED1502-E-D | ED1502-E-D ORIGINAL TO-92 | ED1502-E-D.pdf | |
| MAX9977AKCCQ+ | MAX9977AKCCQ+ ORIGINAL SMD or Through Hole | MAX9977AKCCQ+.pdf | |
| TJA1021T/10/C.118 | TJA1021T/10/C.118 NXP SMD or Through Hole | TJA1021T/10/C.118.pdf |