Vishay BC Components SIS434DN-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SIS434DN-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
SIS434DN-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
14550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 415.13472
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 SIS434DN-T1-GE3 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. SIS434DN-T1-GE3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SIS434DN-T1-GE3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- SIS434DN-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIS434DN-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIS434DN-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIS434DN | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.6m옴 @ 16.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1530pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 52W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SIS434DN-T1-GE3-ND SIS434DN-T1-GE3TR SIS434DNT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIS434DN-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SIS434DN-, SIS434DN-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
SIS434DN-T1-GE3 의 관련 제품
-F.jpg) | CL31B224JBFNNNE | 0.22µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CL31B224JBFNNNE.pdf | |
 | TM3D226K020HBA | 22µF Molded Tantalum Capacitors 20V 2917 (7343 Metric) 700 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TM3D226K020HBA.pdf | |
 | VLF4010ST-1R0N1R9 | 1µH Shielded Wirewound Inductor 1.9A 60 mOhm Max Nonstandard | VLF4010ST-1R0N1R9.pdf | |
.jpg) | CAT25-273JALF | RES ARRAY 8 RES 27K OHM 1608 | CAT25-273JALF.pdf | |
 | CMF555K6900BEBF | RES 5.69K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF555K6900BEBF.pdf | |
| MS46WS-KT-955 | MS46 WELD SHIELD 955MM | MS46WS-KT-955.pdf | |
| SK8-0E227M-RB | SK8-0E227M-RB ELNA SMD | SK8-0E227M-RB.pdf | |
| Q3309CA40011800 | Q3309CA40011800 EPSON SMD or Through Hole | Q3309CA40011800.pdf | |
| HY62256ALP-10(SRAM 32K*8) | HY62256ALP-10(SRAM 32K*8) MAXIM SO-8 | HY62256ALP-10(SRAM 32K*8).pdf | |
| CA3741T | CA3741T INTERSIL CAN | CA3741T.pdf | |
| K4S641633H-RN7 | K4S641633H-RN7 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4S641633H-RN7.pdf | |
| UPD7228G-12 | UPD7228G-12 NEC QFP | UPD7228G-12.pdf |