창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIS424DN-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIS424DN | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.4m옴 @ 19.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1200pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 39W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIS424DN-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIS424DN-, SIS424DN-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
CGA4J3X5R1C475M125AB | 4.7µF 16V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CGA4J3X5R1C475M125AB.pdf | ||
SIT9121AI-2D3-33E212.50000T | OSC XO 3.3V 212.5MHZ | SIT9121AI-2D3-33E212.50000T.pdf | ||
4308R-102-184 | RES ARRAY 4 RES 180K OHM 8SIP | 4308R-102-184.pdf | ||
T491B476M00 | T491B476M00 KEMET SMD or Through Hole | T491B476M00.pdf | ||
SAB8032B-N | SAB8032B-N SIEMENS/INFINEON SMD or Through Hole | SAB8032B-N.pdf | ||
911KD05 | 911KD05 ORIGINAL DIP | 911KD05.pdf | ||
XC2V40-4FG256 | XC2V40-4FG256 XILINX BGA | XC2V40-4FG256.pdf | ||
MA335(TX) /6E | MA335(TX) /6E ORIGINAL SMD or Through Hole | MA335(TX) /6E.pdf | ||
157-4001-EX | 157-4001-EX KOBICONN SMD or Through Hole | 157-4001-EX.pdf | ||
LT1468 | LT1468 LT SOP-8 | LT1468.pdf | ||
AEJA | AEJA ORIGINAL 5SOT-23 | AEJA.pdf | ||
F22/23 | F22/23 ORIGINAL SOT-23 | F22/23.pdf |