창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIS412DN-TI-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | SIS412DN-TI-GE3 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | SIS412DN-TI-GE3 | |
| 관련 링크 | SIS412DN-, SIS412DN-TI-GE3 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | MKP385375025JB02G0 | 0.075µF Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.283" L x 0.236" W (7.20mm x 6.00mm) | MKP385375025JB02G0.pdf | |
![]() | ABLS2-48.000MHZ-D4YF-T | 48MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ABLS2-48.000MHZ-D4YF-T.pdf | |
![]() | C4SMN-GJF-CW14Q7S1 | Green 525nm LED Indication - Discrete 3.1V Radial | C4SMN-GJF-CW14Q7S1.pdf | |
![]() | HSA5010RJ | RES CHAS MNT 10 OHM 5% 50W | HSA5010RJ.pdf | |
![]() | RHC2512FT267R | RES SMD 267 OHM 1% 2W 2512 | RHC2512FT267R.pdf | |
![]() | TNPU120611K8AZEN00 | RES SMD 11.8KOHM 0.05% 1/4W 1206 | TNPU120611K8AZEN00.pdf | |
![]() | M2011G | M2011G JRC DIP-14 | M2011G.pdf | |
![]() | EPM2C35F672C8 | EPM2C35F672C8 ALTERA BGA | EPM2C35F672C8.pdf | |
![]() | C1283G | C1283G NEC SOP | C1283G.pdf | |
![]() | SMM02070C1300FBP00 | SMM02070C1300FBP00 VISHAY SMD or Through Hole | SMM02070C1300FBP00.pdf | |
![]() | JMS27508E12B4P | JMS27508E12B4P AMPHENOL SMD or Through Hole | JMS27508E12B4P.pdf | |
![]() | KAN | KAN MCC SOT-563 | KAN.pdf |