창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIS412DN-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIS412DN | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 7.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 435pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 15.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIS412DN-T1-GE3TR SIS412DNT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIS412DN-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIS412DN-, SIS412DN-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | T520V227M004ATE009 | 220µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 4V 2917 (7343 Metric) 9 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T520V227M004ATE009.pdf | |
![]() | 1210P | 1210P ISD DIP | 1210P.pdf | |
![]() | STF4NK50ZD | STF4NK50ZD ST TO-220F | STF4NK50ZD.pdf | |
![]() | GHM3038X7R102K | GHM3038X7R102K ORIGINAL 1808102K | GHM3038X7R102K.pdf | |
![]() | IML1122CC-TR | IML1122CC-TR IML MSOP-8 | IML1122CC-TR.pdf | |
![]() | AT1369AR | AT1369AR AIMTRON SSOP-20 | AT1369AR .pdf | |
![]() | MRF9745 | MRF9745 Motorola SMD or Through Hole | MRF9745.pdf | |
![]() | 13107LP | 13107LP APC DIP13 | 13107LP.pdf | |
![]() | JWFI1608AR10KT | JWFI1608AR10KT KW SMD or Through Hole | JWFI1608AR10KT.pdf | |
![]() | BSF1964M | BSF1964M ORIGINAL SMD or Through Hole | BSF1964M.pdf | |
![]() | XC3S250EPQG208-4C | XC3S250EPQG208-4C ORIGINAL SMD or Through Hole | XC3S250EPQG208-4C.pdf |