Vishay BC Components SIS402DN-T1-GE3

SIS402DN-T1-GE3
제조업체 부품 번호
SIS402DN-T1-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
데이터 시트 다운로드
다운로드
SIS402DN-T1-GE3 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 904.40064
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 SIS402DN-T1-GE3 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. SIS402DN-T1-GE3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SIS402DN-T1-GE3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
SIS402DN-T1-GE3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SIS402DN-T1-GE3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SIS402DN-T1-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SIS402DN
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 조립/원산지Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
카탈로그 페이지 1655 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C35A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs6m옴 @ 19A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs42nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1700pF @ 15V
전력 - 최대52W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스PowerPAK® 1212-8
공급 장치 패키지PowerPAK® 1212-8
표준 포장 3,000
다른 이름SIS402DN-T1-GE3TR
SIS402DNT1GE3
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SIS402DN-T1-GE3
관련 링크SIS402DN-, SIS402DN-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통
SIS402DN-T1-GE3 의 관련 제품
80MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable ASTMHTA-80.000MHZ-ZC-E-T3.pdf
AT25F512AN-10SI-2. AT SO-8 AT25F512AN-10SI-2..pdf
MURS160TS ON SMD or Through Hole MURS160TS.pdf
BFX39 PHILIPS CAN3 BFX39.pdf
CS13001 LTX TO-92 CS13001.pdf
DS1822Z+T.R MXM SMD or Through Hole DS1822Z+T.R.pdf
02CZ6.2-Y(TE85L TOSHIBA SMD or Through Hole 02CZ6.2-Y(TE85L.pdf
74LVC16245ADGVR NXP TVSOP48 74LVC16245ADGVR.pdf
5G14574 CHINA SMD or Through Hole 5G14574.pdf
MDC90-12I01 IXYS MODULE MDC90-12I01.pdf
BA6620K ROHM QFP BA6620K.pdf