창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIRA36DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIRA36DP PowerPak SO-8 Drawing | |
제품 교육 모듈 | 30 V TrenchFET Gen IV MOSFET and PowerPAIR | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2815pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 44.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIRA36DP-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIRA36DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIRA36DP-, SIRA36DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
ATV50C251J-HF | TVS DIODE 250VWM 405VC DO214AB | ATV50C251J-HF.pdf | ||
445C23B20M00000 | 20MHz ±20ppm 수정 13pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C23B20M00000.pdf | ||
Y162410K0000TR | RES SMD 10K OHM 0.01% 1/5W 0805 | Y162410K0000TR.pdf | ||
TNPW080510K7BEEA | RES SMD 10.7K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW080510K7BEEA.pdf | ||
8005 | Magnet Neodymium Iron Boron (NdFeB) N35 0.250" Dia x 0.100" H (6.35mm x 2.54mm) | 8005.pdf | ||
300UF 10V 6*7 | 300UF 10V 6*7 ORIGINAL SMD or Through Hole | 300UF 10V 6*7.pdf | ||
ST-3TA 500R | ST-3TA 500R ORIGINAL SMD or Through Hole | ST-3TA 500R.pdf | ||
MX316LG | MX316LG CML PLCC-24 | MX316LG.pdf | ||
IRFP9132 | IRFP9132 IR TO-247 | IRFP9132.pdf | ||
EX2001NLT | EX2001NLT PULSE SMD or Through Hole | EX2001NLT.pdf | ||
MCP3906T-I/SS | MCP3906T-I/SS MICROCHIP dip sop | MCP3906T-I/SS.pdf |