창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIR890DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIR890DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
주요제품 | N-Channel TrenchFET® Gen III Power MOSFETs | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.9m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.6V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2747pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 50W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIR890DP-T1-GE3TR SIR890DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIR890DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIR890DP-, SIR890DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
06031A9R0CAT4A | 9pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06031A9R0CAT4A.pdf | ||
SIT8008AI-31-33E-33.333333Y | OSC XO 3.3V 33.333333MHZ OE | SIT8008AI-31-33E-33.333333Y.pdf | ||
FP1005R2-R08-R | 85nH Unshielded Wirewound Inductor 50A 0.47 mOhm Nonstandard | FP1005R2-R08-R.pdf | ||
Y0028937R000T29L | RES 937 OHM 1W 0.01% AXIAL | Y0028937R000T29L.pdf | ||
B57452V5103J62 | NTC Thermistor 10k 0805 (2012 Metric) | B57452V5103J62.pdf | ||
84613-1 | 84613-1 AMP/tyco SMD-BTB | 84613-1.pdf | ||
SLB3939 | SLB3939 AMS SOP24 | SLB3939.pdf | ||
MAX06 | MAX06 NULL NULL | MAX06.pdf | ||
RD472M | RD472M NEC SOT-23 | RD472M.pdf | ||
CY7C132-30/45/55PC | CY7C132-30/45/55PC CYPRESS PDIP-48P | CY7C132-30/45/55PC.pdf | ||
230238-1 | 230238-1 ORIGINAL NEW | 230238-1.pdf | ||
UPD3932GC-7EA | UPD3932GC-7EA NEC QFP | UPD3932GC-7EA.pdf |