창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIR872ADP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIR872ADP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 53.7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 47nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1286pF @ 75V | |
전력 - 최대 | 104W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIR872ADP-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIR872ADP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIR872ADP, SIR872ADP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | VJ1812Y333MXPAT5Z | 0.033µF 250V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | VJ1812Y333MXPAT5Z.pdf | |
![]() | BZX84C20LT1G | DIODE ZENER 20V 225MW SOT23-3 | BZX84C20LT1G.pdf | |
![]() | SQP10AJB-820R | RES 820 OHM 10W 5% AXIAL | SQP10AJB-820R.pdf | |
![]() | 4R7K-8*10 | 4R7K-8*10 LY DIP | 4R7K-8*10.pdf | |
![]() | LTC2623HR-NJB | LTC2623HR-NJB LITEON SMD or Through Hole | LTC2623HR-NJB.pdf | |
![]() | RLZTE-1110A/10V | RLZTE-1110A/10V ROHM SMD or Through Hole | RLZTE-1110A/10V.pdf | |
![]() | CM06FD911J03 | CM06FD911J03 CORNELLDUBILIER SMD or Through Hole | CM06FD911J03.pdf | |
![]() | KS-21827L13 | KS-21827L13 NS SMD or Through Hole | KS-21827L13.pdf | |
![]() | LPE6562ER680MG | LPE6562ER680MG VISHAY SMD or Through Hole | LPE6562ER680MG.pdf | |
![]() | EPM7C96QC100-15 | EPM7C96QC100-15 ORIGINAL SMD or Through Hole | EPM7C96QC100-15.pdf |