창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIR870ADP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SiR870ADP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
주요제품 | ThunderFETs | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.6m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 80nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2866pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 104W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIR870ADP-T1-GE3TR SIR870ADPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIR870ADP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIR870ADP, SIR870ADP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | SI4904DY-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC | SI4904DY-T1-E3.pdf | |
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![]() | C807-1708 | C807-1708 TOSHIBA QFP | C807-1708.pdf | |
![]() | NL252018T-2R7J(2.7U) | NL252018T-2R7J(2.7U) TDK 2520 | NL252018T-2R7J(2.7U).pdf | |
![]() | 24LC01BT-I/OT1 | 24LC01BT-I/OT1 ORIGINAL ROHS | 24LC01BT-I/OT1.pdf | |
![]() | MM74F175SJ | MM74F175SJ FAIRCHILD SOP5.2-16 | MM74F175SJ.pdf |