Vishay BC Components SIR866DP-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SIR866DP-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
SIR866DP-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,275.05664
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 SIR866DP-T1-GE3 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. SIR866DP-T1-GE3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SIR866DP-T1-GE3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- SIR866DP-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIR866DP-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIR866DP-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIR866DP | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 주요제품 | N-Channel TrenchFET® Gen III Power MOSFETs | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.9m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 107nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4730pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 83W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SIR866DP-T1-GE3TR SIR866DPT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIR866DP-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SIR866DP-, SIR866DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
SIR866DP-T1-GE3 의 관련 제품
 | MAL215621562E3 | 5600µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 53 mOhm @ 100Hz 5000 Hrs @ 85°C | MAL215621562E3.pdf | |
 | 445I32L27M00000 | 27MHz ±30ppm 수정 12pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I32L27M00000.pdf | |
| M2732A | M2732A ST DIP28 | M2732A.pdf | |
| MIC5303-2.5YMT | MIC5303-2.5YMT MIC MLF-4 | MIC5303-2.5YMT.pdf | |
| 95080Wb6 | 95080Wb6 ST SOP8 | 95080Wb6.pdf | |
| PW10A 10 OHM 5％ | PW10A 10 OHM 5％ ORIGINAL SMD or Through Hole | PW10A 10 OHM 5％.pdf | |
| M74VHC1GT140DFT2G | M74VHC1GT140DFT2G ON SOT-353 | M74VHC1GT140DFT2G.pdf | |
| 150QD13 | 150QD13 TOSHIBA SMD or Through Hole | 150QD13.pdf | |
| CTB16-600BW | CTB16-600BW CRYDOM TO-220 | CTB16-600BW.pdf | |
| NK80530VZ800256 | NK80530VZ800256 INT SMD or Through Hole | NK80530VZ800256.pdf | |
| GRM40C0G562J50PT | GRM40C0G562J50PT MURATA SMD | GRM40C0G562J50PT.pdf | |
| PE4256MLIAA | PE4256MLIAA PEREGRINE SMD or Through Hole | PE4256MLIAA.pdf |