창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIR864DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIR864DP-T1-GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.6m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 65nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2460pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 54W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIR864DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIR864DP-, SIR864DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 250R14X105KV4T | 1µF 25V 세라믹 커패시터 X5R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 250R14X105KV4T.pdf | |
![]() | K50-3C0SE40.0000MR | 40MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 15mA Enable/Disable | K50-3C0SE40.0000MR.pdf | |
![]() | SIT3808AC-D3-33EX-24.576000T | OSC XO 3.3V 24.576MHZ OE | SIT3808AC-D3-33EX-24.576000T.pdf | |
![]() | PTZ8.2ATE25 | PTZ8.2ATE25 ROHM (SOD-106) | PTZ8.2ATE25.pdf | |
![]() | S812C33AY | S812C33AY SEIKO TO92 | S812C33AY.pdf | |
![]() | HF0805US-82NJST | HF0805US-82NJST FHA SMD or Through Hole | HF0805US-82NJST.pdf | |
![]() | R1LV3216RSA-7SRB0 | R1LV3216RSA-7SRB0 HIT SMD or Through Hole | R1LV3216RSA-7SRB0.pdf | |
![]() | BTIP49C2AE | BTIP49C2AE SAMSUNG SMD or Through Hole | BTIP49C2AE.pdf | |
![]() | 2N5339B | 2N5339B ST TO-18 | 2N5339B.pdf | |
![]() | SML4754AE361 | SML4754AE361 vishay SMD or Through Hole | SML4754AE361.pdf | |
![]() | BK-1608HM121TK | BK-1608HM121TK KEMET SMD | BK-1608HM121TK.pdf |