창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIR862DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIR862DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 Mosfet Assembly Site Chgs 24/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 90nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3800pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 69W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIR862DP-T1-GE3TR SIR862DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIR862DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIR862DP-, SIR862DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | MAL212835229E3 | 22µF 16V Aluminum Capacitors Radial 9 Ohm @ 100Hz | MAL212835229E3.pdf | |
![]() | SCHS10000 | DIODE GEN PURP 10KV 2A AXIAL | SCHS10000.pdf | |
![]() | AMP104257-2 | AMP104257-2 AMP SMD or Through Hole | AMP104257-2.pdf | |
![]() | SBD181335P-CW16-CV | SBD181335P-CW16-CV Sambu SMD or Through Hole | SBD181335P-CW16-CV.pdf | |
![]() | pwr263s-20-1003 | pwr263s-20-1003 bourns SMD or Through Hole | pwr263s-20-1003.pdf | |
![]() | AHCT04PWR | AHCT04PWR TI TSSOP | AHCT04PWR.pdf | |
![]() | IPP16CN60C3 | IPP16CN60C3 infineon TO220 | IPP16CN60C3.pdf | |
![]() | S3C7002FK8-AVB2 | S3C7002FK8-AVB2 SAMSUNG DIP-30 | S3C7002FK8-AVB2.pdf | |
![]() | 1206 4.3M J | 1206 4.3M J TASUND SMD or Through Hole | 1206 4.3M J.pdf | |
![]() | 6DI75B-050 | 6DI75B-050 ORIGINAL MODULE | 6DI75B-050.pdf | |
![]() | UA741T | UA741T FSC CAN8 | UA741T.pdf | |
![]() | LWD30-1224 | LWD30-1224 LAMBDA SMD or Through Hole | LWD30-1224.pdf |