창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIR862DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIR862DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 Mosfet Assembly Site Chgs 24/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 90nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3800pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 69W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIR862DP-T1-GE3TR SIR862DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIR862DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIR862DP-, SIR862DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | ULD2G8R2MPD | 8.2µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can 20000 Hrs @ 105°C | ULD2G8R2MPD.pdf | |
![]() | 0313.800H | FUSE GLASS 800MA 250VAC 3AB 3AG | 0313.800H.pdf | |
![]() | SAA7216HS/C2 | SAA7216HS/C2 PHILIPS QFP | SAA7216HS/C2.pdf | |
![]() | 1924075 | 1924075 PHOEMNIX SMD or Through Hole | 1924075.pdf | |
![]() | TDA1670 | TDA1670 ST DIP | TDA1670.pdf | |
![]() | RJ3211 | RJ3211 RJ SSOP20 | RJ3211.pdf | |
![]() | 54FCT827ATDB | 54FCT827ATDB IDT CDIP | 54FCT827ATDB.pdf | |
![]() | GO223/G0223 | GO223/G0223 CHA SMD or Through Hole | GO223/G0223.pdf | |
![]() | MAX4012EUK NOPB | MAX4012EUK NOPB MAXIM 5SOT23 | MAX4012EUK NOPB.pdf | |
![]() | 2SC3838T147N | 2SC3838T147N ROHM SOT23 | 2SC3838T147N.pdf | |
![]() | 868E0408PSC | 868E0408PSC ZILNS DIP | 868E0408PSC.pdf | |
![]() | HR702HH DC12V | HR702HH DC12V HANKUK SMD or Through Hole | HR702HH DC12V.pdf |