창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIR846ADP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIR846ADP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.8m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 66nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2350pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 83W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIR846ADP-T1-GE3TR SIR846ADPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIR846ADP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIR846ADP, SIR846ADP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | CC1206ZRY5V8BB105 | 1µF 25V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CC1206ZRY5V8BB105.pdf | |
![]() | 1812SC102KAT1A\SB | 1000pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812SC102KAT1A\SB.pdf | |
![]() | VJ0805D3R0BLCAC | 3pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D3R0BLCAC.pdf | |
![]() | HAT2166H-EL-E | MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK | HAT2166H-EL-E.pdf | |
![]() | CFR-50JB-52-100K | RES 100K OHM 1/2W 5% AXIAL | CFR-50JB-52-100K.pdf | |
![]() | 25430302-CG | 25430302-CG ORIGINAL SMD or Through Hole | 25430302-CG.pdf | |
![]() | LMV3581DDUR | LMV3581DDUR TI VSOT-8 | LMV3581DDUR.pdf | |
![]() | TPS71519DCKR | TPS71519DCKR TI SC70-5 | TPS71519DCKR.pdf | |
![]() | Z510PT | Z510PT IntelCPU QFN | Z510PT.pdf | |
![]() | 2SB1012. | 2SB1012. NEC TO-126 | 2SB1012..pdf |