창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIR818DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIR818DP-T1-GE3 | |
제품 교육 모듈 | 30 V TrenchFET Gen IV MOSFET and PowerPAIR | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3660pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 69W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIR818DP-T1-GE3-ND SIR818DP-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIR818DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIR818DP-, SIR818DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 3EZ68DE3/TR12 | DIODE ZENER 68V 3W DO204AL | 3EZ68DE3/TR12.pdf | |
![]() | Y0786124R000B9L | RES 124 OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y0786124R000B9L.pdf | |
![]() | OM1145E-R58 | RES 110K OHM 1W 5% AXIAL | OM1145E-R58.pdf | |
![]() | ATXMEGA64A3-AU | ATXMEGA64A3-AU ATMEL TQFP64 | ATXMEGA64A3-AU.pdf | |
![]() | GCQ30A06 | GCQ30A06 NIEC TO-220 | GCQ30A06.pdf | |
![]() | KSH210 | KSH210 ORIGINAL SMD or Through Hole | KSH210 .pdf | |
![]() | 1SS380T /E | 1SS380T /E ROHM SOD-323 | 1SS380T /E.pdf | |
![]() | SK100EL16VMS | SK100EL16VMS SEMTECH MSOP-8 | SK100EL16VMS.pdf | |
![]() | 23065 | 23065 SONY SIP-8 | 23065.pdf | |
![]() | IP-BT0-CU | IP-BT0-CU IP SMD or Through Hole | IP-BT0-CU.pdf | |
![]() | MAX6376XR29-T | MAX6376XR29-T MAXIM SC70-3 | MAX6376XR29-T.pdf | |
![]() | CHF190104CBF197R | CHF190104CBF197R Panasonic SMD or Through Hole | CHF190104CBF197R.pdf |