창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIR812DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SiR812DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 설계/사양 | Datasheet Update 22/Jun/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.45m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 335nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10240pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 104W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIR812DP-T1-GE3TR SIR812DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIR812DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIR812DP-, SIR812DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
HEDS-9000#J00 | ENCODER MODULE 2CH 1024CPR | HEDS-9000#J00.pdf | ||
74F827WM | 74F827WM fsc SMD or Through Hole | 74F827WM.pdf | ||
11SSR-32H | 11SSR-32H JST SMD or Through Hole | 11SSR-32H.pdf | ||
CIF130050M | CIF130050M SAURO SMD or Through Hole | CIF130050M.pdf | ||
BZD27C7V5P-GS08 | BZD27C7V5P-GS08 VISHAY SMD or Through Hole | BZD27C7V5P-GS08.pdf | ||
SA500PS1C1D | SA500PS1C1D Honeywell SMD or Through Hole | SA500PS1C1D.pdf | ||
EUSY0313401 | EUSY0313401 N/A QFN | EUSY0313401.pdf | ||
BB1A4A | BB1A4A NEC TO-92 | BB1A4A.pdf | ||
JX4N23CEJG | JX4N23CEJG TI CAN6 | JX4N23CEJG.pdf | ||
MUX24EP | MUX24EP PMI DIP16 | MUX24EP.pdf | ||
2114H-06 | 2114H-06 Neltron SMD or Through Hole | 2114H-06.pdf | ||
RT9198-15GV | RT9198-15GV Richtek SOT-23 | RT9198-15GV.pdf |