창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIR802DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIR802DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1785pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 27.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIR802DP-T1-GE3TR SIR802DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIR802DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIR802DP-, SIR802DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
381EL561M250A022 | 560µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 260 mOhm @ 120Hz 7000 Hrs @ 105°C | 381EL561M250A022.pdf | ||
ACP-112TR | ACP-112TR AVALDATA STOCK | ACP-112TR.pdf | ||
CAT28C64BPI-12 | CAT28C64BPI-12 CSI DIP | CAT28C64BPI-12.pdf | ||
V206132281 | V206132281 H PLCC-28 | V206132281.pdf | ||
PR-FC-250-B | PR-FC-250-B CTC SMD or Through Hole | PR-FC-250-B.pdf | ||
GMT G1117T63UF | GMT G1117T63UF GMT SMD or Through Hole | GMT G1117T63UF.pdf | ||
CS42418-CQZR | CS42418-CQZR CIRRUS QFP | CS42418-CQZR.pdf | ||
CY7C171A-35VC | CY7C171A-35VC CY SOJ | CY7C171A-35VC.pdf | ||
KS8998M | KS8998M KENDIN QFP-128 | KS8998M.pdf | ||
NTJD4105CT1G NOPB | NTJD4105CT1G NOPB ON SC70-6 | NTJD4105CT1G NOPB.pdf | ||
RT9017-20PV | RT9017-20PV RICHTEK SOT-23 | RT9017-20PV.pdf |