Vishay BC Components SIR770DP-T1-GE3

SIR770DP-T1-GE3
제조업체 부품 번호
SIR770DP-T1-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
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내부 부품 번호EIS-SIR770DP-T1-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SIR770DP-T1-GE3
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C8A
Rds On(최대) @ Id, Vgs21m옴 @ 8A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.8V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs21nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds900pF @ 15V
전력 - 최대17.8W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스PowerPAK® SO-8 이중
공급 장치 패키지PowerPAK® SO-8 Dual
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)SIR770DP-T1-GE3
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