창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIR670DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIR670DP PowerPak SO-8 Drawing | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.8m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.8V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2815pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 56.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIR670DP-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIR670DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIR670DP-, SIR670DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | AR0402FR-07127KL | RES SMD 127K OHM 1% 1/16W 0402 | AR0402FR-07127KL.pdf | |
![]() | PAT0805E2260BST1 | RES SMD 226 OHM 0.1% 1/5W 0805 | PAT0805E2260BST1.pdf | |
![]() | 4820P-1-161 | RES ARRAY 10 RES 160 OHM 20SOIC | 4820P-1-161.pdf | |
![]() | THS9000DRWT(BQX) | THS9000DRWT(BQX) BB/TI QFN6 | THS9000DRWT(BQX).pdf | |
![]() | CM28C010-150/B | CM28C010-150/B SEEQ CDIP32 | CM28C010-150/B.pdf | |
![]() | 1234AS-H-1R8N | 1234AS-H-1R8N TOKO SMD | 1234AS-H-1R8N.pdf | |
![]() | L6918D | L6918D ST SOP28 | L6918D.pdf | |
![]() | AM707AR | AM707AR AD SMD-8 | AM707AR.pdf | |
![]() | HD14082 | HD14082 HIT DIP | HD14082.pdf | |
![]() | 37U01 | 37U01 TI SMD or Through Hole | 37U01.pdf | |
![]() | 022P | 022P N/A SOT23-6 | 022P.pdf | |
![]() | 6ES5700-8MA21 | 6ES5700-8MA21 SIEMENS SMD or Through Hole | 6ES5700-8MA21.pdf |