창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIR644DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIR644DP PowerPak SO-8 Drawing | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.7m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 71nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3200pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 69W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | SIR644DP-T1-GE3CT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIR644DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIR644DP-, SIR644DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | SMCG36CA-HR | TVS DIODE 36VWM 58.1VC SMCG | SMCG36CA-HR.pdf | |
![]() | ASTMHTE-50.000MHZ-ZK-E-T3 | 50MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTE-50.000MHZ-ZK-E-T3.pdf | |
![]() | ERJ-6ENF6653V | RES SMD 665K OHM 1% 1/8W 0805 | ERJ-6ENF6653V.pdf | |
![]() | RG1608V-112-D-T5 | RES SMD 1.1K OHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608V-112-D-T5.pdf | |
![]() | RG1608V-2671-P-T1 | RES SMD 2.67K OHM 1/10W 0603 | RG1608V-2671-P-T1.pdf | |
![]() | 3225K150 | 3225K150 EPCOS SMD | 3225K150.pdf | |
![]() | MS1270-6R1MT | MS1270-6R1MT S SMD or Through Hole | MS1270-6R1MT.pdf | |
![]() | S-81230SG-QB | S-81230SG-QB SEIKO SOT | S-81230SG-QB.pdf | |
![]() | 32FLH-RSM1-TB(LF)(SN) | 32FLH-RSM1-TB(LF)(SN) JST SMD or Through Hole | 32FLH-RSM1-TB(LF)(SN).pdf | |
![]() | MCT275SMT/R | MCT275SMT/R ISOCOM DIPSOP | MCT275SMT/R.pdf | |
![]() | STC90C52RC-40I-LQFP | STC90C52RC-40I-LQFP STC PQFP | STC90C52RC-40I-LQFP.pdf | |
![]() | SE372 | SE372 ORIGINAL QFP | SE372.pdf |