Vishay BC Components SIR638DP-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SIR638DP-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
SIR638DP-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 794.68647
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 SIR638DP-T1-GE3 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. SIR638DP-T1-GE3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SIR638DP-T1-GE3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- SIR638DP-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIR638DP-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIR638DP-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PowerPak SO-8 Drawing SiR638DP | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 신제품 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.88m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 204nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10500pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 104W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SIR638DP-T1-GE3TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIR638DP-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SIR638DP-, SIR638DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
SIR638DP-T1-GE3 의 관련 제품
 | UVR0J223MHA | 22000µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | UVR0J223MHA.pdf | |
 | TAJB155K025H | 1.5µF Molded Tantalum Capacitors 25V 1210 (3528 Metric) 5 Ohm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | TAJB155K025H.pdf | |
 | 402F20033CDT | 20MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F20033CDT.pdf | |
 | SIT1602BI-32-33E-30.000000Y | OSC XO 3.3V 30MHZ OE | SIT1602BI-32-33E-30.000000Y.pdf | |
| 1N4736A-TA | 1N4736A-TA ST DO-41 | 1N4736A-TA.pdf | |
| SC415DXB/EYB | SC415DXB/EYB IMI SSOP | SC415DXB/EYB.pdf | |
| C1005COG1H181JT000A(0402-180P) | C1005COG1H181JT000A(0402-180P) TDK SMD or Through Hole | C1005COG1H181JT000A(0402-180P).pdf | |
| LTC4440EMS8E#TRPBF | LTC4440EMS8E#TRPBF LT MSOP8 | LTC4440EMS8E#TRPBF.pdf | |
| GRM0225C1C390JD01D | GRM0225C1C390JD01D Murata SMD or Through Hole | GRM0225C1C390JD01D.pdf | |
| MJM4556AL | MJM4556AL JRC SMD or Through Hole | MJM4556AL.pdf | |
| HZS4.3NB2TD-E | HZS4.3NB2TD-E Renesas SMD or Through Hole | HZS4.3NB2TD-E.pdf | |
| K7M401825B-PC75 | K7M401825B-PC75 SAMSUNG TQFP | K7M401825B-PC75.pdf |