창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIR492DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIR492DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.8m옴 @ 15A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(8V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3720pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 36W | |
작동 온도 | -50°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIR492DP-T1-GE3TR SIR492DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIR492DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIR492DP-, SIR492DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
06035C153MAT2A | 0.015µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06035C153MAT2A.pdf | ||
VJ0603D1R5DLBAJ | 1.5pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R5DLBAJ.pdf | ||
RG1608N-1183-W-T5 | RES SMD 118KOHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608N-1183-W-T5.pdf | ||
1N2039 | 1N2039 ORIGINAL DIP | 1N2039.pdf | ||
7-1437049-2 | 7-1437049-2 TYCO con | 7-1437049-2.pdf | ||
SMS24.TC/L | SMS24.TC/L SEMTEC 6 SOT23 | SMS24.TC/L.pdf | ||
HER304/MIC | HER304/MIC MIC DO-201 | HER304/MIC.pdf | ||
RC2010K-07 7K5 | RC2010K-07 7K5 YAGEO SMD2010 | RC2010K-07 7K5.pdf | ||
CM105CG150J50A | CM105CG150J50A ORIGINAL SMD or Through Hole | CM105CG150J50A.pdf | ||
MC68MH360FE33 | MC68MH360FE33 MOT QFP | MC68MH360FE33.pdf | ||
UPD75216ACW-W12 | UPD75216ACW-W12 NEC DIP | UPD75216ACW-W12.pdf | ||
SI18301L | SI18301L Sanken N A | SI18301L.pdf |