창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIR484DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIR484DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.3m옴 @ 17.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 830pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 29.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIR484DP-T1-GE3-ND SIR484DP-T1-GE3TR SIR484DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIR484DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIR484DP-, SIR484DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | SP1210-823K | 82µH Shielded Wirewound Inductor 162mA 7.9 Ohm Max Nonstandard | SP1210-823K.pdf | |
![]() | CPA2512E33R0FS-T10 | RES SMD 33 OHM 1% 16W 2512 | CPA2512E33R0FS-T10.pdf | |
![]() | IA1524S-2W | IA1524S-2W SUC SIP | IA1524S-2W.pdf | |
![]() | TRS76032 | TRS76032 ORIGINAL SOT23 | TRS76032.pdf | |
![]() | CS98010 | CS98010 CRYSTAL QFP | CS98010.pdf | |
![]() | EFOS8004E0 | EFOS8004E0 PANASONIC SMD or Through Hole | EFOS8004E0.pdf | |
![]() | CY7C1328G-200AXI | CY7C1328G-200AXI CYPRESS TQFP100 | CY7C1328G-200AXI.pdf | |
![]() | IXCY60M45 | IXCY60M45 IXYS SMD or Through Hole | IXCY60M45.pdf | |
![]() | MCP2022-330E/SL | MCP2022-330E/SL MICROCHIP SMD or Through Hole | MCP2022-330E/SL.pdf | |
![]() | UPD74HC20C | UPD74HC20C NEC DIP-14 | UPD74HC20C.pdf | |
![]() | LB11993FN-TFM-E | LB11993FN-TFM-E SANYO QFN | LB11993FN-TFM-E.pdf |