창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIR474DP-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIR474DP | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.5m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 985pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 29.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIR474DP-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SIR474DP-, SIR474DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | CRCW1210390KJNEAHP | RES SMD 390K OHM 5% 3/4W 1210 | CRCW1210390KJNEAHP.pdf | |
![]() | PTN1206E3791BST1 | RES SMD 3.79K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E3791BST1.pdf | |
![]() | MBA02040C1874FRP00 | RES 1.87M OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C1874FRP00.pdf | |
![]() | SST25VF512A-20-4C- | SST25VF512A-20-4C- SST SOP-8 | SST25VF512A-20-4C-.pdf | |
![]() | TLC081CD | TLC081CD TI SOP8 | TLC081CD.pdf | |
![]() | TC203G04CF | TC203G04CF TOS QFP208 | TC203G04CF.pdf | |
![]() | LXG200VN471M35X25T2 | LXG200VN471M35X25T2 UNITED DIP | LXG200VN471M35X25T2.pdf | |
![]() | XRT5997IVTR | XRT5997IVTR ORIGINAL QFP | XRT5997IVTR.pdf | |
![]() | NC12K00123MBB | NC12K00123MBB AVX SMD | NC12K00123MBB.pdf | |
![]() | RCIL0054TA | RCIL0054TA TOKO SMD or Through Hole | RCIL0054TA.pdf | |
![]() | ES04906/K0/H | ES04906/K0/H FOXCONN SMD or Through Hole | ES04906/K0/H.pdf |