창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIR472DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIR472DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12m옴 @ 13.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 820pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 29.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIR472DP-T1-GE3TR SIR472DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIR472DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIR472DP-, SIR472DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
V18ZU40PX2855 | VARISTOR 18V 2KA DISC 20MM | V18ZU40PX2855.pdf | ||
IRF6637TRPBF | MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET | IRF6637TRPBF.pdf | ||
1382350-1 | 1382350-1 AMP Box | 1382350-1.pdf | ||
25VC100M | 25VC100M SANYO 8X10 | 25VC100M.pdf | ||
STP75NF75-MOR | STP75NF75-MOR ST TO-220 | STP75NF75-MOR.pdf | ||
CA45A B 10UF 16V M | CA45A B 10UF 16V M TASUND SMD or Through Hole | CA45A B 10UF 16V M.pdf | ||
IL-312-A20SB-VF-A1-E3500 | IL-312-A20SB-VF-A1-E3500 JAE SMD or Through Hole | IL-312-A20SB-VF-A1-E3500.pdf | ||
E-TDA7414 | E-TDA7414 ST QFP-44 | E-TDA7414.pdf | ||
KMH250VN221M30X20T2 | KMH250VN221M30X20T2 UnitedCHEMI-CON DIP-2 | KMH250VN221M30X20T2.pdf | ||
XDK-3201AOWA | XDK-3201AOWA ORIGINAL SMD or Through Hole | XDK-3201AOWA.pdf | ||
RC2512JR-0727RL | RC2512JR-0727RL YAGEO SMD | RC2512JR-0727RL.pdf |