Vishay BC Components SIR412DP-T1-GE3

SIR412DP-T1-GE3
제조업체 부품 번호
SIR412DP-T1-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
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내부 부품 번호EIS-SIR412DP-T1-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SIR412DP
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 조립/원산지Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)25V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C20A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs12m옴 @ 10A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs16nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds600pF @ 10V
전력 - 최대15.6W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스PowerPAK® SO-8
공급 장치 패키지PowerPAK® SO-8
표준 포장 3,000
다른 이름SIR412DP-T1-GE3TR
SIR412DPT1GE3
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SIR412DP-T1-GE3
관련 링크SIR412DP-, SIR412DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통
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