창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIR410DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIR410DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.8m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1600pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 36W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIR410DP-T1-GE3-ND SIR410DP-T1-GE3TR SIR410DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIR410DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIR410DP-, SIR410DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 06031U6R8BAT2A | 6.8pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.060" L x 0.030" W(1.52mm x 0.76mm) | 06031U6R8BAT2A.pdf | |
![]() | 1N705 | DIODE ZENER 4.8V 250MW DO35 | 1N705.pdf | |
![]() | SFH618A-3 | Optoisolator Transistor Output 5300Vrms 1 Channel 4-DIP | SFH618A-3.pdf | |
![]() | RT0805WRE07200KL | RES SMD 200K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRE07200KL.pdf | |
![]() | CD8268 | CD8268 CD DIP | CD8268.pdf | |
![]() | N6121DA | N6121DA M-TEK DIPSOP | N6121DA.pdf | |
![]() | MT50A1200V | MT50A1200V ORIGINAL SMD or Through Hole | MT50A1200V.pdf | |
![]() | W25X32BSSIG | W25X32BSSIG W SOP | W25X32BSSIG.pdf | |
![]() | MC12073L | MC12073L MOT CDIP8 | MC12073L.pdf | |
![]() | SXA1122242/1 | SXA1122242/1 OTHER SMD or Through Hole | SXA1122242/1.pdf | |
![]() | PCA9633DP1118 | PCA9633DP1118 NXP SMD or Through Hole | PCA9633DP1118.pdf |