창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIR-563ST3FN | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | SIR-563ST3FN | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | SIR-563ST3FN | |
| 관련 링크 | SIR-563, SIR-563ST3FN 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 380LX151M350K012 | 150µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 1.11 Ohm 3000 Hrs @ 85°C | 380LX151M350K012.pdf | |
![]() | VJ0805D560KXCAC | 56pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D560KXCAC.pdf | |
![]() | AQ12EA390JAJME | 39pF 150V 세라믹 커패시터 A 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | AQ12EA390JAJME.pdf | |
![]() | ISC1812ES470K | 47µH Shielded Wirewound Inductor 183mA 2.1 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812ES470K.pdf | |
![]() | RG2012N-112-D-T5 | RES SMD 1.1K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012N-112-D-T5.pdf | |
![]() | KBE00S003M-D411 | KBE00S003M-D411 SAMSUNG BGA | KBE00S003M-D411.pdf | |
![]() | AG16BG | AG16BG ST TSSOP | AG16BG.pdf | |
![]() | 293D476X9004D2T | 293D476X9004D2T VISHAY SMD or Through Hole | 293D476X9004D2T.pdf | |
![]() | Φ5-7*120 | Φ5-7*120 ORIGINAL SMD or Through Hole | Φ5-7*120.pdf | |
![]() | 3R250M | 3R250M IB DIP | 3R250M.pdf | |
![]() | 2227-14-03 | 2227-14-03 Neltron SMD or Through Hole | 2227-14-03.pdf | |
![]() | PTD08A010WAD | PTD08A010WAD TI SMD or Through Hole | PTD08A010WAD.pdf |