창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHW73N60E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHW73N60E | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 73A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 39m옴 @ 36A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 362nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7700pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 520W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AD | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHW73N60E-GE3 | |
관련 링크 | SIHW73N6, SIHW73N60E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | ERA-2APB2432X | RES SMD 24.3KOHM 0.1% 1/16W 0402 | ERA-2APB2432X.pdf | |
![]() | LFSN30N18C1906BAF-687 | LFSN30N18C1906BAF-687 MUR SMD or Through Hole | LFSN30N18C1906BAF-687.pdf | |
![]() | NCP1001T | NCP1001T ON TO-220 | NCP1001T.pdf | |
![]() | AD842SH/883 | AD842SH/883 AD CAN | AD842SH/883.pdf | |
![]() | MAX110AEPE | MAX110AEPE MAX DIP-16 | MAX110AEPE.pdf | |
![]() | RCA02-4D/33K | RCA02-4D/33K ORIGINAL SMD | RCA02-4D/33K.pdf | |
![]() | 308RLF30 | 308RLF30 IR SMD or Through Hole | 308RLF30.pdf | |
![]() | NJW1143M-TE1 | NJW1143M-TE1 JRC DMP24 | NJW1143M-TE1.pdf | |
![]() | G78-200-A1 | G78-200-A1 NVIDIA BGA | G78-200-A1.pdf | |
![]() | EXBM10V220JY | EXBM10V220JY ORIGINAL SOP | EXBM10V220JY.pdf | |
![]() | RWM-SS-112DM | RWM-SS-112DM GOODSKY DIP-SOP | RWM-SS-112DM.pdf | |
![]() | GJ232RF51E475ZD01L | GJ232RF51E475ZD01L MURATA SMD | GJ232RF51E475ZD01L.pdf |