창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHW47N60EF-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHW47N60EF-GE3 | |
애플리케이션 노트 | Operation, FOM, and Guidelines for MOSFET Selection | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-070-2014-Rev-0 19/Jun/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 67m옴 @ 24A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 225nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4854pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 379W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AD | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHW47N60EF-GE3 | |
관련 링크 | SIHW47N60, SIHW47N60EF-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 293D336X0025D2TE3 | 33µF Molded Tantalum Capacitors 25V 2917 (7343 Metric) 700 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | 293D336X0025D2TE3.pdf | |
![]() | AC1210JR-07510KL | RES SMD 510K OHM 5% 1/2W 1210 | AC1210JR-07510KL.pdf | |
![]() | SMBTA55 | SMBTA55 SIEMENS SOT23 | SMBTA55.pdf | |
![]() | RSA42 | RSA42 ST TO-92 | RSA42.pdf | |
![]() | STRF6264 | STRF6264 STR TO23 5 | STRF6264.pdf | |
![]() | 450MXH180M22*40 | 450MXH180M22*40 RUBYCON DIP-2 | 450MXH180M22*40.pdf | |
![]() | 51281-1892 | 51281-1892 MOLEX SMD or Through Hole | 51281-1892.pdf | |
![]() | mbrb1545ct-e3-4 | mbrb1545ct-e3-4 vis SMD or Through Hole | mbrb1545ct-e3-4.pdf | |
![]() | PJS008-2110-0 | PJS008-2110-0 ORIGINAL SMD or Through Hole | PJS008-2110-0.pdf | |
![]() | E1G44HTG1P20 | E1G44HTG1P20 INTEL SMD or Through Hole | E1G44HTG1P20.pdf | |
![]() | B78334B1034A3 | B78334B1034A3 TDK-EPC SMD or Through Hole | B78334B1034A3.pdf | |
![]() | AD5660ARJ | AD5660ARJ AD SMD or Through Hole | AD5660ARJ.pdf |