창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHW47N60EF-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHW47N60EF-GE3 | |
애플리케이션 노트 | Operation, FOM, and Guidelines for MOSFET Selection | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-070-2014-Rev-0 19/Jun/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 67m옴 @ 24A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 225nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4854pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 379W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AD | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHW47N60EF-GE3 | |
관련 링크 | SIHW47N60, SIHW47N60EF-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
MRS25000C7321FCT00 | RES 7.32K OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C7321FCT00.pdf | ||
MBB02070D1321DC100 | RES 1.32K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070D1321DC100.pdf | ||
XCR5032C-10VQG44C | XCR5032C-10VQG44C XILINX QFP | XCR5032C-10VQG44C.pdf | ||
IBM3218L7906 | IBM3218L7906 IBM SMD or Through Hole | IBM3218L7906.pdf | ||
GRM15X5C1H560JDB4 | GRM15X5C1H560JDB4 MURATA SMD or Through Hole | GRM15X5C1H560JDB4.pdf | ||
TDA2545 | TDA2545 ph SMD or Through Hole | TDA2545.pdf | ||
LL0145CXXCXB-WRA | LL0145CXXCXB-WRA SOLIDLITE ROHS | LL0145CXXCXB-WRA.pdf | ||
M29W102BB70N1T | M29W102BB70N1T STM SMD or Through Hole | M29W102BB70N1T.pdf | ||
7707 21844 | 7707 21844 B CDIP24 | 7707 21844.pdf | ||
ECSF0GE106 | ECSF0GE106 PANASONIC DIP | ECSF0GE106.pdf | ||
JSC02RJ514AJ01 | JSC02RJ514AJ01 MOT QFP | JSC02RJ514AJ01.pdf | ||
FM75-M8 | FM75-M8 NA SMD8 | FM75-M8.pdf |