창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHW23N60E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHW23N60E-GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-070-2014-Rev-0 19/Jun/2014 SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 158m옴 @ 12A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2418pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 227W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AD | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHW23N60E-GE3 | |
관련 링크 | SIHW23N6, SIHW23N60E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | Y0006V0096AA9L | RES NTWRK 2 RES MULT OHM RADIAL | Y0006V0096AA9L.pdf | |
![]() | FEM5015N | FEM5015N TDK QFN | FEM5015N.pdf | |
![]() | TLC271BIDG4 | TLC271BIDG4 TexasInstruments TI | TLC271BIDG4.pdf | |
![]() | TC75S54FT | TC75S54FT TOSHIBA SMD or Through Hole | TC75S54FT.pdf | |
![]() | AD3020ARU-REEL | AD3020ARU-REEL AD SSOP38 | AD3020ARU-REEL.pdf | |
![]() | FQP17N80C | FQP17N80C FSC TO-220 | FQP17N80C.pdf | |
![]() | G3FD-X03SN 5-24VDC 3A 50VDC | G3FD-X03SN 5-24VDC 3A 50VDC ORIGINAL SMD or Through Hole | G3FD-X03SN 5-24VDC 3A 50VDC.pdf | |
![]() | 2SB138 | 2SB138 HIT SMD or Through Hole | 2SB138.pdf | |
![]() | HV22216PJ | HV22216PJ HV PLCC28 | HV22216PJ.pdf | |
![]() | MAX16033PLB29 | MAX16033PLB29 MAXIM SMD or Through Hole | MAX16033PLB29.pdf | |
![]() | 5962-8700202YC | 5962-8700202YC IDT CDIP | 5962-8700202YC.pdf | |
![]() | STTH5R06GTR | STTH5R06GTR STMicroelectronics SMD or Through Hole | STTH5R06GTR.pdf |