창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHW23N60E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHW23N60E-GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-070-2014-Rev-0 19/Jun/2014 SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 158m옴 @ 12A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2418pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 227W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AD | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHW23N60E-GE3 | |
관련 링크 | SIHW23N6, SIHW23N60E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | T86C226K6R3EBAS | 22µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 2312 (6032 Metric) 1.8 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | T86C226K6R3EBAS.pdf | |
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![]() | ALPHA3A/3M/SMAM/S/S/26 | 850MHz, 868MHz, 900MHz, 915MHz, 1.8GHz, 1.9GHz, 2.1GHz, 2.4GHz Bluetooth, GPRS, GSM, UMTS, WLAN, Zigbee™ Blade RF Antenna 3dBi Connector, SMA Male Adhesive | ALPHA3A/3M/SMAM/S/S/26.pdf | |
![]() | ADG884XCB3-VXKPAZ | ADG884XCB3-VXKPAZ AD BGA | ADG884XCB3-VXKPAZ.pdf | |
![]() | 1102T | 1102T ORIGINAL SWITCH | 1102T.pdf | |
![]() | 3-87215-0 | 3-87215-0 TYCO SMD or Through Hole | 3-87215-0.pdf | |
![]() | GRM216B11H472KA01D | GRM216B11H472KA01D MURATA SMD or Through Hole | GRM216B11H472KA01D.pdf | |
![]() | CS51414EDR | CS51414EDR ON SOP8 | CS51414EDR.pdf | |
![]() | HD6433534FP21 | HD6433534FP21 HIT QFP | HD6433534FP21.pdf | |
![]() | SA4484P | SA4484P SL DIP | SA4484P.pdf |