창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHU6N65E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHU6N65E | |
제품 교육 모듈 | High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 48nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 820pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 78W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 긴 리드(Lead), IPak, TO-251AB | |
공급 장치 패키지 | IPAK(TO-251) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHU6N65E-GE3 | |
관련 링크 | SIHU6N6, SIHU6N65E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
GMD30900 | 115 ~ 400pF Trimmer Capacitor 175V Side Adjustment Through Hole 0.752" L x 0.375" W (19.10mm x 9.53mm) | GMD30900.pdf | ||
520N25IA26M0000 | 26MHz Clipped Sine Wave VCTCXO Oscillator Surface Mount 2.5V 2.5mA | 520N25IA26M0000.pdf | ||
SBCHE44R7K | RES 4.70 OHM 4W 10% AXIAL | SBCHE44R7K.pdf | ||
D8J713F743-6 | D8J713F743-6 CIJ SMD or Through Hole | D8J713F743-6.pdf | ||
330UF 16V 6.3*11 M | 330UF 16V 6.3*11 M LBS 6.3 11 | 330UF 16V 6.3*11 M.pdf | ||
OSEPHIL | OSEPHIL ORIGINAL SOP-8L | OSEPHIL.pdf | ||
TC7W14F(TE12L) | TC7W14F(TE12L) TOSHIBA SOP8 | TC7W14F(TE12L).pdf | ||
FF80576GG0646MSLAQH | FF80576GG0646MSLAQH INTEL SMD or Through Hole | FF80576GG0646MSLAQH.pdf | ||
APM2301H | APM2301H ORIGINAL SOT23 | APM2301H.pdf | ||
MMZ0603D560CT00 | MMZ0603D560CT00 TDK SMD or Through Hole | MMZ0603D560CT00.pdf | ||
321871 | 321871 TYCO SMD or Through Hole | 321871.pdf | ||
BC6888A04-ICJG-BL | BC6888A04-ICJG-BL ORIGINAL BGA | BC6888A04-ICJG-BL.pdf |