창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHU3N50D-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHU3N50D | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2옴 @ 2.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 175pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 69W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
공급 장치 패키지 | TO-251AA | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIHU3N50D-E3CT SIHU3N50D-E3CT-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHU3N50D-E3 | |
관련 링크 | SIHU3N5, SIHU3N50D-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | ECS-260-10-36Q-JEN-TR | 26MHz ±20ppm 수정 10pF 60옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ECS-260-10-36Q-JEN-TR.pdf | |
![]() | BLF6G22LS-40P,118 | FET RF 2CH 65V 2.17GHZ SOT1121B | BLF6G22LS-40P,118.pdf | |
![]() | LTL3H3ERADS1 | LAMP 3MM OVAL, RED 631NM | LTL3H3ERADS1.pdf | |
![]() | 1137490000 | 1137490000 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1137490000.pdf | |
![]() | CXK597710 | CXK597710 SONY TSOP | CXK597710.pdf | |
![]() | LTC1872ES6#PBF | LTC1872ES6#PBF LINEAR TSOT23-6 | LTC1872ES6#PBF.pdf | |
![]() | 12513WR-02 | 12513WR-02 OK SMD or Through Hole | 12513WR-02.pdf | |
![]() | W7113PBC/A | W7113PBC/A KIBGBRIGHT ROHS | W7113PBC/A.pdf | |
![]() | OSC-2B2-20M75MHZ | OSC-2B2-20M75MHZ VECTRON SMD or Through Hole | OSC-2B2-20M75MHZ.pdf | |
![]() | NV13M08YG | NV13M08YG NDK SMD or Through Hole | NV13M08YG.pdf | |
![]() | WM8940LGEFL | WM8940LGEFL WM QFN | WM8940LGEFL.pdf |