창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHP5N50D-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Packaging Information SIHP5N50D | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 2.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 325pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 104W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SIHP5N50D-E3CT SIHP5N50D-E3CT-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHP5N50D-E3 | |
관련 링크 | SIHP5N5, SIHP5N50D-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 1N5998A | DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 | 1N5998A.pdf | |
![]() | CPF0805B1K37E1 | RES SMD 1.37KOHM 0.1% 1/10W 0805 | CPF0805B1K37E1.pdf | |
![]() | 195D685X0025G2T(6.8UF25V) | 195D685X0025G2T(6.8UF25V) VISHAY SMD or Through Hole | 195D685X0025G2T(6.8UF25V).pdf | |
![]() | AIP1623 | AIP1623 ORIGINAL SOP-23 | AIP1623.pdf | |
![]() | VW21354-A | VW21354-A VIA TSOP | VW21354-A.pdf | |
![]() | BL-HD0X133F-TRB | BL-HD0X133F-TRB ORIGINAL SMD or Through Hole | BL-HD0X133F-TRB.pdf | |
![]() | XR17D158IV- | XR17D158IV- ORIGINAL SMD or Through Hole | XR17D158IV-.pdf | |
![]() | APA150-FGG256I | APA150-FGG256I ACTEL SMD or Through Hole | APA150-FGG256I.pdf | |
![]() | MV64341-B1-BAY-I125 | MV64341-B1-BAY-I125 MARVELL SMD or Through Hole | MV64341-B1-BAY-I125.pdf | |
![]() | IVP | IVP ORIGINAL SMD | IVP.pdf | |
![]() | STM810TWX6 | STM810TWX6 ST SOT-23 | STM810TWX6.pdf | |
![]() | KS56C450-Z3 | KS56C450-Z3 SAMSUNG TQFP | KS56C450-Z3.pdf |