창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHP30N60E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SiHP30N60E | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 29A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 125m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 130nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2600pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHP30N60E-GE3 | |
관련 링크 | SIHP30N6, SIHP30N60E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
FKI06051 | MOSFET N-CH 60V 69A TO-220F | FKI06051.pdf | ||
32101C | 100µH Unshielded Toroidal Inductor 1.4A 77 mOhm Max Radial | 32101C.pdf | ||
ERJ-1GEF9763C | RES SMD 976K OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GEF9763C.pdf | ||
TNPW040218K0BEED | RES SMD 18K OHM 0.1% 1/16W 0402 | TNPW040218K0BEED.pdf | ||
FQ00L25J | FQ00L25J HBA PLCC32 | FQ00L25J.pdf | ||
CR-BOX50 | CR-BOX50 SVCC ZIP-7 | CR-BOX50.pdf | ||
BCM7100KPB-32 | BCM7100KPB-32 BROADCOM SMD or Through Hole | BCM7100KPB-32.pdf | ||
M0280RJ250 | M0280RJ250 westcode module | M0280RJ250.pdf | ||
TBZ363C6V4 | TBZ363C6V4 DIODES SOT-363 | TBZ363C6V4.pdf | ||
MCP631 | MCP631 MICROCHIPIC 8SOIC150mil | MCP631.pdf | ||
420-3 | 420-3 N/Y TQFP128 | 420-3.pdf | ||
DDA114YH-7-F | DDA114YH-7-F DIODES SMD or Through Hole | DDA114YH-7-F.pdf |