창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHP24N65EF-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Packaging Information SiHP24N65EF | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 156m옴 @ 12A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 122nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2656pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHP24N65EF-GE3 | |
관련 링크 | SIHP24N65, SIHP24N65EF-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | IR21366J | IR21366J IOR PLCC | IR21366J.pdf | |
![]() | 0600+ | 0600+ MAL DIP8 | 0600+.pdf | |
![]() | BStR63H200 | BStR63H200 SIEMENS MODULE | BStR63H200.pdf | |
![]() | 5ST250-R | 5ST250-R BEL SMD or Through Hole | 5ST250-R.pdf | |
![]() | JDI-801E | JDI-801E ORIGINAL SMD or Through Hole | JDI-801E.pdf | |
![]() | 7002HB | 7002HB IR SOP | 7002HB.pdf | |
![]() | JPAD50 | JPAD50 VISHAY SMD or Through Hole | JPAD50.pdf | |
![]() | MSM56V16800F-8ATS | MSM56V16800F-8ATS OKI TSOP44 | MSM56V16800F-8ATS.pdf | |
![]() | VLP4610T-1R8M1R0 | VLP4610T-1R8M1R0 TDK SMD | VLP4610T-1R8M1R0.pdf | |
![]() | XC4013E-4xxxx | XC4013E-4xxxx Xilinx SMD or Through Hole | XC4013E-4xxxx.pdf | |
![]() | GJ232NF11C106ZD01 | GJ232NF11C106ZD01 MURATA SMD or Through Hole | GJ232NF11C106ZD01.pdf |