창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHP23N60E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHP23N60E-GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 158m옴 @ 12A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2418pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 227W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHP23N60E-GE3 | |
관련 링크 | SIHP23N6, SIHP23N60E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
VJ0805D301GXAAR | 300pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D301GXAAR.pdf | ||
RNF14DTD1K89 | RES 1.89K OHM 1/4W .5% AXIAL | RNF14DTD1K89.pdf | ||
AP3790MTR-G1 | Converter Offline Flyback Topology 8-SO | AP3790MTR-G1.pdf | ||
TIL111S-M | TIL111S-M FAIRCHILD SOP | TIL111S-M.pdf | ||
32LD/SOIC | 32LD/SOIC ORIGINAL SMD32 | 32LD/SOIC.pdf | ||
TLPGE53T(T) | TLPGE53T(T) TOSHIBA ROHS | TLPGE53T(T).pdf | ||
555141-1 | 555141-1 TYCO con | 555141-1.pdf | ||
SS35/7TR | SS35/7TR GENSEM SMD or Through Hole | SS35/7TR.pdf | ||
GB-16BP06 | GB-16BP06 GPEI SMD or Through Hole | GB-16BP06.pdf | ||
103946-6 | 103946-6 M SMD or Through Hole | 103946-6.pdf | ||
D6CZ-1G9600-D1X2(4 | D6CZ-1G9600-D1X2(4 FUJITSU SMD | D6CZ-1G9600-D1X2(4.pdf | ||
MAX801NCSA+ | MAX801NCSA+ MaximIntegratedProducts Tube | MAX801NCSA+.pdf |