창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHP23N60E-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIHP23N60E-GE3 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 158m옴 @ 12A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2418pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 227W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIHP23N60E-GE3 | |
| 관련 링크 | SIHP23N6, SIHP23N60E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | GRM0335C1H9R4CA01D | 9.4pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1H9R4CA01D.pdf | |
![]() | VJ0402D2R4CLCAP | 2.4pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D2R4CLCAP.pdf | |
![]() | 2510R-88K | 470µH Unshielded Inductor 28mA 60 Ohm Max 2-SMD | 2510R-88K.pdf | |
![]() | CW02B39R00JE12HS | RES 39 OHM 3.75W 5% AXIAL | CW02B39R00JE12HS.pdf | |
![]() | OL1155E-R52 | RES 1.1M OHM 1/2W 5% AXIAL | OL1155E-R52.pdf | |
![]() | TX1298 | TX1298 PULSE SMD40 | TX1298.pdf | |
![]() | RF6266SR | RF6266SR RFMD QFN | RF6266SR.pdf | |
![]() | 9973#26S | 9973#26S AVAGO SIP-6 | 9973#26S.pdf | |
![]() | EPL2010-123MLC | EPL2010-123MLC coilcraft SMD or Through Hole | EPL2010-123MLC.pdf | |
![]() | SC1089 | SC1089 N/A DIP | SC1089.pdf |