창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHP22N60E-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHP22N60E Packaging Information | |
제품 교육 모듈 | High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 86nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1920pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 227W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SIHP22N60EE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHP22N60E-E3 | |
관련 링크 | SIHP22N, SIHP22N60E-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
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![]() | AT1206CRD07619RL | RES SMD 619 OHM 0.25% 1/4W 1206 | AT1206CRD07619RL.pdf | |
![]() | ADXL335BCPZ-RL | Accelerometer X, Y, Z Axis ±3g 1.6kHz (X,Y), 550Hz (Z) 16-LFCSP-LQ (4x4) | ADXL335BCPZ-RL.pdf | |
![]() | SA1CB1A103 | SA1CB1A103 HONEYWELL SMD or Through Hole | SA1CB1A103.pdf | |
![]() | RY3GH040 | RY3GH040 sharp SMD or Through Hole | RY3GH040.pdf | |
![]() | 0603-464R | 0603-464R YOGEO// SMD or Through Hole | 0603-464R.pdf | |
![]() | XC5026-5VQ100C | XC5026-5VQ100C XILINX SMD or Through Hole | XC5026-5VQ100C.pdf | |
![]() | 98DX4112A1 | 98DX4112A1 MARVELL BGA | 98DX4112A1.pdf |