창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHP22N60E-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHP22N60E Packaging Information | |
제품 교육 모듈 | High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 86nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1920pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 227W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SIHP22N60EE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHP22N60E-E3 | |
관련 링크 | SIHP22N, SIHP22N60E-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | BFC246756102 | 1000pF Film Capacitor 220V 400V Polyester, Metallized Radial 0.492" L x 0.177" W (12.50mm x 4.50mm) | BFC246756102.pdf | |
![]() | CDRH3D14NP-2R2NC | 2.2µH Shielded Inductor 1.75A 69 mOhm Max Nonstandard | CDRH3D14NP-2R2NC.pdf | |
![]() | EE-SX493 | OPTO SENSOR SLOT TYPE 2MM | EE-SX493.pdf | |
![]() | P0903BS | P0903BS NIKO SOT-252 | P0903BS.pdf | |
![]() | SAS1064E-B2 | SAS1064E-B2 LSI BGA | SAS1064E-B2.pdf | |
![]() | SD6-7157 | SD6-7157 MWT SOP8 | SD6-7157.pdf | |
![]() | FB8S017JA1(2000) | FB8S017JA1(2000) JAE() SMD or Through Hole | FB8S017JA1(2000).pdf | |
![]() | T-13 | T-13 ONSEMI SOP-8 | T-13.pdf | |
![]() | GMK212SD223KG-B | GMK212SD223KG-B TAIYOYUDEN SMD | GMK212SD223KG-B.pdf | |
![]() | GRM216R11H223KA01J | GRM216R11H223KA01J MURATA SMD or Through Hole | GRM216R11H223KA01J.pdf | |
![]() | LWD30-0524 | LWD30-0524 LAMBDA SMD or Through Hole | LWD30-0524.pdf | |
![]() | J2N3585 | J2N3585 MOT/RCA TO-66 | J2N3585.pdf |